Solutions ee332
251
إجابات األسئلة3-11
1-3-11
I BQ
VCC − 0.7 15 − 0.7
=
= 39.7 A
RB
360k
I CQ I BQ = 100* 39.7
= 4 mA
VCEQ = VCC − RC I CQ = 15 − 3k * 4 m 3
Rac = RC // RL = 3k // 2 k = 1.2 k
VCEQ I CQ Rac
→
Gv = − hFE
,
Rac I CQ = 1.2 k * 4 m = 4.8
Vcemss = Vomss = VCEQ = 3 →
RC // RL
1.2 k
= −100
= −60
hIE
2k
Z IE = RB // hIE = 360 k // 2 k 1.99 k
v o = Gv v i = Gv v s
Z IE
1.99k
= −60v s
−40v s
Z IE + Rs
1.99k + 1k
Vomss = 40Vsmss → Vsmss = Vsmss / 40 = 3 / 40 = 75 mV
ال تشويه
v s ( t ) = 100 mV sin t
v s ( t ) = 40 mV sin t
يحدث تشويه كقطع فى الجزء السفلى من فرق
( −3 ) جهد الخرج عند المستوى
v o = −40 v s = −40 * 100 mV sin t = −4 sin t for
− 3 v o ( t ) 4.8
(أ
(بـ
252
2-3-11
RDC = 1.5 k + 1k = 2.5 k , Rac = 1.5 k // 1k = 0.6 k
I CQ =
VCC
15
=
4.84mA
RDC + Rac 2.5 k + 0.6 k
RB = 5 k →
,
RE 20
R2 7.95 k
,
=
RB
→
5
R1 R2
= 5 k …( 1 )
R1 + R2
VBB 0.7 + RE I EQ 0.7 + 1k * 4.84m = 5.54 = 15
R1 13.54 k
RB
,
R2
…( 2 )
R1 + R2
Vo ( mss ) = 4.84 m * 0.6 k 2.9
___________________________________________________________________
________
إجابات األسئلة5-11
1-5-11
VCC
VCC
=
RDC + Rac RC + RE + ( RC // RL )
I cmss = I CQ =
I cmss =
20
20
=
0.27A
40 + 10 + (24) 74
VCEQ = I CQ Rac = I CQ (RC // RL ) = 0.27 * 24 6.48 →
PL( ac ) =
RC
1 2
1
)2 RL
I o RL = I cmss 2 (
2
RC + RL
2
PL( ac ) =
1
40
0.27 2 (
)2 * 60 0.35W
2
40 + 60
PCC VCC I CQ = 20 * 0.27 = 5.4W
(أ
253
=
PL(ac)
PCC
F.o.M =
100% =
PTr (max)
PL( ac )
=
0.35
100% = 6.48%
5.4
VCEQ I CQ
PL( ac )
=
6.48 * 0.27
5
0.35
(بـ
2ICQ = 0.54 A التيار المعتمد للترانزستور
2VCEQ = 12.96V فرق الجهد المعتمد للترانزستور
القدرة المعتمدة للترانزستور F.o.M * PL( ac ) = 5 * 0.35 = 1.75W
___________________________________________________________________
_____
2-5-11
I comss = I CQ =
RE =
PL( ac ) =
VCC
VCC
=
RDC + Rac RC + RE + ( RC // RL )
→
VCC
32
− RC − ( RC // RL ) =
− 100 − 50 = 10
I CQ
0.2
RC
1
1
1
I CQ 2 (
)2 RL = ( 0.2 )2 ( )2 100 = 0.5W
2
RC + R L
2
2
PCC VCC I CQ = 32 * 0.2 = 6.4W
PL(ac)
0.5
100% = 7.81%
PCC
6.4
VCEQ = I CQ Rac = I CQ (RC // RL ) = 0.2 * 50 = 10V →
=
100% =
PTr (max) VCEQ I CQ = 10 * 0.2 = 2W
F.o.M = PT (max) / PL( ac ) = 2 / 0.5 = 4
r
2ICQ = 0.4 A التيار المعتمد للترانزستور
فرق الجهد المعتمد للترانزستور 2VCEQ = 20V
القدرة المعتمدة للترانزستور F.o.M * PL( ac ) = 4 * 0.5 = 2W
___________________________________________________________________
________
3-5-11
254
V BB = VCC
R2
5
= 25
=5
R1 + R2
25
I CQ
,
RB =
R1 R2
100
=
k = 4k
R1 + R2
25
VBB − 0.7
4.3
4.3
=
=
= 17.92mA
RE + RB / 0.2 k + 4 k / 100 240
VCEQ = VCC − RE I CQ = 25 − 0.2 k * 17.92m 21.42
Z IE = RB // hIE = 4 k // 2 k = 1.33 k
vi = v s
ic hFE ib = hFE
Z IE
1.33
= vs
= 0.87 v s
Z IE + Rs
1.53
vi
0.87 v s
0.87
= hFE
= 100
v s = 0.044v s
hIE
hIE
2k
I cm = 0.044Vsm = 0.044 * 0.3 = 13.2 mA
PL( ac ) =
1
1 2
n RL I cm 2 = 9 * 200( 13.2 m )2 = 157 mW
2
2
PCC VCC * I CQ = 25 * 17.92m = 448mW
=
Figure of Merit =
PL( ac )
PCC
100% =
157
100% 35%
448
PTr (max) VCEQ I CQ 21.42 * 17.92m
=
=
= 2.44
PL( ac )
PL ( ac )
157 m
2ICQ = 35.84mA التيار المعتمد للترانزستور
فرق الجهد المعتمد للترانزستور 2VCEQ = 42.84V
القدرة المعتمدة للترانزستور F.o.M * PL( ac ) = 2.44 * 157 mW 0.38W
___________________________________________________________________
________
4-5-11
PL( ac ) =
1
1 2 PL( ac )
1 2* 9
I CQ 2 n 2 RL → I CQ =
=
= 0.6 A
n
RL
2.5
8
2
VCEQ = Rac I CQ = n 2 R L I CQ = 2.5 2 * 8 * 0.6 = 30V
(أ
255
VCC = VCEQ + RE I CQ = 30 + 10 * 0.6 = 36V
PCC VCC I CQ = 36 * 0.6 = 21.6W
(ب
=
PL(ac)
PCC
9
100% = 41.67%
21.6
100% =
PTr = VCEQ I CQ = 30 * 0.6 = 18W
(جـ
F.o.M = PT / PL( ac ) = 18 / 9 = 2
r
2ICQ = 1.2 A التيار المعتمد للترانزستور
فرق الجهد المعتمد للترانزستور 2VCEQ = 60V
القدرة المعتمدة للترانزستور F.o.M * PL( ac ) = 2 * 9 = 18W
RE = 20
RB
I CQ
VBB = VCC
→ 10 =
R1 R2
R1 R2
20
= 50….( 1 )
*
→
R1 + R2
100 R1 + R2
(د
VBB − 0.7
→ VBB = I CQ RE + 0.7 = 0.6 * 10 + 0.7 = 6.7
RE
R2
R2
R2
= 0.19…….( 2 )
→ 6.7 = 36
→
R1 + R2
R1 + R2
R1 + R2
R1 * 0.19 = 50
→
(1) and (2)
→ R1 263 .16
R2 = 0.19 R1 + 0.19 R2 → 0.81 R2 = 0.19 R1 → R2 61.73
___________________________________________________________________
________
5-5-11
I cm hFE I bm hFE
PCC =
2 VCC I cm
PL( ac ) =
=
6
Vsm
= 0.3 A
= 100
500 + 100 * 15
Rs + hIE + hFE RL
=
2 * 10 * 0.3
= 1.91W
1
1
2
I cm RL = * 0.3 2 * 15 0.68W
2
2
PL(ac)
PCC
100% =
0.68
% 35.6%
1.91
256
2
V
100
PTr 1 (max) = CC 2 =
= 0.68W
RL
15 * 2
F.o.M =
PTr1 (max)
PL( ac )
=
0.68
=1
0.68
2I cm = 0.6 A التيار المعتمد للترانزستور
فرق الجهد المعتمد للترانزستور 2VCC = 20V
القدرة المعتمدة للترانزستور F.o.M * PL( ac ) = 1 * 0.68 = 0.68W
_____________________________________________________________________________________________________
____________
1-8-12
RCi Rs + ( RB //( hie + h fe RE )) : مكثف الربط المطلوب
RCi = 20 k + ( 50 k //( 1k + 100 * 50 )) = 25.36 k
Ci
1
1
=
0.13F
2 * f l * RCi 2 * 50 * 25.36 k
__________________________________________________________________
________
2-8-12
:تردد القطع السفلى
RCi Rs + ( RB // hie ) = 20 k + ( 500 k // 1k ) 21k
f li
1
1
=
= 7.58 Hz
2 * C i RCi 2 * 1 * 21k
RCo RL + RC = 0.1k + 1k = 1.1k
f lo
1
1
=
= 144.69 Hz
2 * C o RCo 2 * 1 * 1.1k
RC E RE //(
hie + ( RB // Rs )
1k + ( 500k // 20k )
) = 500 //(
)
h fe
100
RC E 500 // 202 143.87
fl E
1
1
=
11.06 Hz
2 * C E RC E 2 * 100 * 143.87
تردد القطع السفلى للمقوى هو
f lo 4 f li 10 f lE
f l f lo 144.69 Hz .
257
معامل التقوية األمامي G fفى مجال الترددات المتوسطة:
100
111m
0.9 k
=
h fe
r
, gm
r hie − rb = 1k − 0.1k = 0.9 k
مكافئ المقوى للترددات المتوسطة
) − g m v b e ( RC // RL
=
) = − g m ( RC // RL
midb
v b e
v ce
v b e
Gcb = G f
G f = − 111m * ( 1k // 0.1k ) −10
تردد القطع العلوي:
مكافئ المقوى للترددات العالية
مكافئ ميلر للمقوي للترددات العالية
C 1 C ( 1 − G f ) = 5 p( 1 + 10 ) = 55 pF
1
1
) = 5 p( 1 +
) = 5.5 pF
Gf
10
111m
gm
58.89 pF
=
2fT 2 * 300M
= C + C
C2 C ( 1 −
→
gm
1
2 C + C
fT
C = 58.89 p − 5 p = 53.89 pF
C in C 1 + C = 55 p + 53.89 p = 108 .89 pF , C out C 2 = 5.5 pF
258
RC in = r //( rb + ( RB // Rs )) = 0.9 k //( 0.1k + ( 500 k // 20 k )) 0.86 k
RC out = RL // RC = 0.1k // 1k = 0.091 k
ui =
1
1
=
= 10.68 * 106
RC in C in 0.86 k * 108.89 p
uo =
1
1
=
2 * 109
RC out C out 0.091k * 5.5 p
uo >> 4 ui → u ui = 10.68 Mhz
fu =
→
10.68 M
= 1.7 MHz
2
___________________________________________________________________
________
3-8-12
نقطة التشغيل وبرامترات الترانزستور
RB = 40 k // 10 k = 8k
I EQ
,
VBB = 15
10k
=3
50k
3 − 0. 7
VBB − 0.7
= 2.13mA
8k
RB
1k +
RE +
100
hie
VT
I EQ
=
r = 2.35 k − 0.1k = 2.25 k
50 m * 100
2.35k
2.13m
,
gm =
h fe
r
=
100
= 44.44 m
2.25k
:تردد القطع السفلى
RCi Rs + ( RB //( hie + h fe RE ))
RCi = 100 + ( 8k //( 2.35k + 100 * 1k )) = 7.52 k
f l f li
1
1
=
= 21.16 Hz
2 * C i RCi 2 * 1 * 7.52k
: فى مجال الترددات المتوسطةG r ومعامل التقوية العكسيG f معامل التقوية األمامي
259
مكافئ المقوى للترددات المتوسطة
Geb = G f =
v be
) RE
vec
r
=
=
midb v be + v ec
v
vbe + ( g m v be + be )RE
r
( g m vbe +
vec
vbc
1
1
) RE
( 44.44 m +
)1k
r
44.88
2.25k
=
=
0.98
1
1
45.88
1 + ( g m + )RE 1 + ( 44.44 m +
)1k
r
2.25k
( gm +
Gf
Gbe = Gr =
Gr
vbc
vec
midb
=
rb + ( Rs // RB )
r + rb + ( Rs // RB )
0.1k + ( 0.1k // 8k )
0.2k
0.078
2.25k + 0.1k + ( 0.1k // 8k ) 2.55k
:تردد القطع العلوي
C + C
gm
44.44m
=
23.6 pF → C = 23.6 p − 2 p = 21.6 p
2fT 2 * 300 M
مكافئ المقوى للترددات العالية
0 Gf 1
→
مكافئ ميلر للمقوي للترددات العالية
C1 = C ( 1 − G f ) = 20.6 p( 1 − 0.98 ) 0.4 p
C 2 = C ( 1 − Gr ) = 20.6 p( 1 − 0.078 ) 19 pF
R1 = r
1
1
= 2.35k
= 117 .5k
1− Gf
1 − 0.98
R2 = r
1
1
= 2.35k
2.55k
1 − Gr
1 − 0.078
C in = C + C1 = 2 p + 0.4 p = 2.4 pF
,
C out = C 2 = 19 pF
260
RCin = R1 //( rb + ( RS // RB )) = 117.5k //( 0.1k + ( 0.1k // 8k )) 0.2k
RCout = R2 // RE = 2.55k // 1k 0.72k
f ui =
f uo =
1
1
=
332 MHz
2 * C in RCin 2 * 2.4 p * 0.2k
1
1
=
11.63 MHz
2 * C out RCout 2 * 19 p * 0.72 k
→
f ui > 4 f uo
f u f uo = 11.63 MHz
___________________________________________________________________
________
4-8-12
:تردد القطع السفلى
مكافئ المقوى للترددات المنخفضة
RCi = RG + Rs 1 = 500 k + 2 k 502 k →
f li
1
1
=
158.52 Hz
2 * C i RCi 2 * 2 n * 502k
RCs = v / i
,
v = − v gs
i = −( v gs / Rs ) − id
,
v gs + rds ( − id + gm v gs ) + RD ( − id ) = 0 →
id = v gs
1 + g m rds
rds + RD
→
i=−
v gs
Rs
− v gs
1 + gm rds
rds + RD
261
v
1
=
1 1 + g m rds
i
(
+
Rs rds + RD
= RCs
) i = − v gs ( 1 + 1 + gm rds
,
rds + RD
Rs
1
1.68
1
1 + 2m * 20 k
(
+
20 k
20 k + 55k
1
1
f ls
=
9.47 Hz
2 * C s RCs 2 * 10m * 1.68
= RCs
f l f li 158 .52 Hz
→
f li 10 f ls ,
معامل التقوية األمامي G fفى مجال الترددات المتوسطة:
مكافئ المقوى للترددات المتوسطة
) − gm v gs ( rds // RD
v gs
=
midb
v ds
v gs
= Gdg = G f
G f = − g m ( rds // RD ) = −2 m * ( 20 k // 55 k ) = −29.33
تردد القطع العلوي:
مكافئ المقوى للترددات العالية
مكافئ ميلر للمقوي للترددات العالية
→ Gf 0
262
C 1 C gd ( 1 − G f ) = 2 p( 1 + 29.33 ) = 60.66 pF
C 2 C gd ( 1 −
1
1
) = 2 p( 1 +
) = 2.07 pF
Gf
29.33
C in = C gs + C 1 = 20 p + 60.66 p = 80.66 pF , C out = C 2 2.07 pF
RC in = RG // Rs 1 = 500 k // 2 k 1.99 k →
f ui
1
1
=
= 0.99 MHz
2 * C in RC in 2 * 80.66 p * 1.99k
RC out = rds // RD = 20 k // 55 k = 14.67 k →
f uo =
1
=
1
= 5.25 MHz
2 * 2.07 p * 14.67 k
→
f u f ui = 0.99 MHz .
2 * C out RC out
f uo 4 f ui
___________________________________________________________________
______
5-8-12
:تردد القطع السفلى
مكافئ المقوي للترددات المنخفضة
R1 = rds // RD // RL = 20 k // 10 k // 1k = 6.67 k // 1k = 0.87 k
263
RCi =
v gs
i
=
R f * i + ( i − g m v gs )R1
i
RCi = R f + ( 1 − g m RCi )R1 →
RCi =
f li
R f + R1
1 + g m R1
=
= R f + ( 1 − gm
v gs
i
)R1
RCi + g m RCi R1 = R f + R1
100k + 0.87 k
= 22.52k
1 + 4 m * 0.87 k
1
1
=
4.71Hz
2 * C i RCi 2 * 1.5 * 22.52k
v gs = 0 → R2 = rds // RD // R f = 20 k // 10 k // 100 k = 6.25k
RCo = R2 + RL = 6.25 k + 1k = 7.25 k
f lo
1
1
=
21.95 Hz
2 * C o RCo 2 * 1 * 7.25k
f lo 4 f li ,
→
f l f lo 21.95 Hz
___________________________________________________________________
________
6-8-12
:تردد القطع السفلى
مكافئ المقوي للترددات المنخفضة
264
RCi 1 = RG = 500k
RCi 2 = RG + ( RD // rds ) = 500k + ( 5 k // 10k ) = 503.33k
RCs 1 =
1
1
211
=
1
1 + 4 m * 10k
1 + g m rds
1
(
+
(
+
Rs rds + ( RD // RG ) 0.5 k 10k + ( 5 k // 500k )
RCs 2 =
1
1
211
=
1
1 + 4 m * 10k
1 1 + g m rds
(
+
(
+
0.5 k
10k + 5 k
Rs rds + RD
f li 1
f li 2
1
1
=
32 Hz
2 * C i 1 RCi 1 2 * 10n * 500k
1
1
=
32 Hz
2 * C i 2 RCi 2 2 * 10n * 503.33k
f ls 1
1
1
=
3.14 Hz
2 * C s 1 RCs1 2 * 240 * 0.211k
f ls 2
1
1
=
3.14 Hz
2 * C s 2 RCs 2 2 * 240 * 0.211k
→
f li 10 f ls ,
f l f li 32 Hz
:معامالت التقوية األمامية فى مجال الترددات المتوسطة
مكافئ المقوى للترددات المتوسطة
Gdg1 = G f 1 =
v ds1
= — g m ( rds // RD // RG )
v gs1
G f 1 = — 4 m * ( 10k // 5 k // 500k ) −13.2
265
Gdg 2 = G f 2 =
v ds2
= − g m ( rds // R D )
v gs2
G f 2 = −4 m * ( 10k // 5 k ) −13.33
:تردد القطع العلوي
مكافئ المقوى للترددات العالية
مكافئ ميلر للمقوي للترددات العالية
G f 1 0 and G f 2 0 →
C 1′ C gd ( 1 − G f 1 ) = 2 p( 1 + 13.25 ) 28.5 pF
C 2′ C gd ( 1 −
1
1
) = 2 p( 1 +
) 2.15 pF
Gf1
13.25
C 1” C gd ( 1 − G f 2 ) = 2 p( 1 + 13.33 ) 28.66 pF
C 2” C gd ( 1 −
1
1
) = 2 p( 1 +
) 2.15 pF
Gf2
13.33
C in1 = C gs + C 1′ = 6 p + 28.5 p 34.5 pF
f ui 1 =
1
2 * C in1 RC in1
=
,
RC in1 = 0
1
=
2 * 34.5 p * 0
C in 2 = C gs + C 2′ +C 1” = 6 p + 2.15 p + 28.66 p = 36.81 pF
RC in 2 = rds // RD // RG = 10 k // 5 k // 500 k = 3.31k
266
f ui 2 =
1
2 * C in 2 RC in 2
=
1
1.31MHz
2 * 36.81 p * 3.31k
C out = C 2” = 2.15 p
RCout = rds // RD = 10 k // 5 k = 3.33 k
f uo =
1
2 * C out RC out
=
1
= 22.23 MHz
2 * 2.15 p * 3.33k
f u f ui 2 1.31 MHz
إذا
___________________________________________________________________
________
7-8-12
:برامترات الترانزستور
VT
hie
I EQ
=
2 * 25mV
100 = 2.5 k
2 mA
r hie − rb = 2.5 k − 0.05 k = 2.45 k ,
C + C
gm
h fe
r
=
100
= 40.8 m
2.45k
gm
40m
=
31.83.6 pF →
2fT 2 * 200 M
C = 31.83 p − 2 p = 29.83 p
:معامالت التقوية األمامية فى مجال الترددات المتوسطة
مكافئ المقوى للترددات المتوسطة
Gc1b’ = G f 1 =
v c1e
v b’ e1
= − g m [( rb + r ) // RB 2 ] = −40.8m [ 2.55k // 3.3k −58.7
Gb” c1 = G f2 =
r
2.45k
=
0.98
r + rb
2.5k
Gc2b” = G f 3 =
v c2e
v b’ e 2
G c1b” = G r2 =
RB2
3300
=
0.985
RB2 + rb 3350
= − g m ( RC 2 // RL ) = − 40.8m * ( 1k // 0.1k ) −3.71
:تردد القطع العلوي
267
مكافئ المقوى للترددات العالية
مكافئ ميلر للمقوي للترددات العالية
G f1 0
→
C 11 C ( 1 − G f 1 ) = 2 p( 1 + 58.7 ) = 119 .4 pF
C 12 C ( 1 − 1 / G f 1 ) = 2 p( 1 + 1 / 58.7 ) 2 pF
C in1 = C + C 11 = 29.83 p + 119.4 p = 149.23 p
RC in1 = r //( rb + ( 1k // 2 k // 0.5 k )) = 2.45 k // 0.34 k = 833
f ui 1 =
1
2 * C in1 RC in1
=
1
1.28 MHz
2 * 149.23 p * 833
C out 1 = C 12 2 pF
RC out 1 = R1 = rb
f uo 1 =
Gf3 0
1
1
= 50
= 2.5 k
1 − Gb” c
1 − 0.98
1
2 * C out 1 RC out 1
=
1
31.8 MHz
2 * 2 p * 2.5 k
→
C 21 C ( 1 − G f 3 ) = 2 p( 1 + 3.71 ) = 9.42 pF
C 22 C ( 1 −
1
1
) = 2 p( 1 +
) = 2.54 pF
Gf3
3.71
0Gf2 1 →
R1 = rb
1
1
= 50
= 2.5 k
1−Gf2
1 − 0.98
268
R2 = rb
1
1
= 50
3.33k
1 − Gr 2
1 − 0.985
RCin 2 = r // R2 // RB 2 = 2.5 k // 3.33 k // 3.3k 1k
C in 2 = C 21 + C = 9.42 p + 29.83 p = 39.66 pF
f ui 2 =
1
1
=
4 MHz
2 * C in2 RCin 2 2 * 39.66 p * 1k
RCout2 = RC 2 // RL = 1k // 0.1k = 0.091k
f uo 2 =
C out 2 = C 22 = 2.54 p
,
1
2 * C out 2 RCout2
=
1
688 MHz
2 * 2.54 p * 0.091k
إذا
f u f ui1 1.28 MHz
1-3-13
نقطة تشغيل و برامترات الترانزستور
rs
I CQ1
+ V f − V f − rs
rs
I CQ
I CQ
I CQ 2
= 0 → I CQ1 I CQ 2 I CQ
+ V f + RE * 2 I CQ − VCC = 0 →
VCC − V f
2 RE + rs /
10 − 0.6
0.47 mA
20k + 20
− VCC + RC ( I CQ + I L ) + RL I L = 0 → I L =
VCC − RC I CQ
RC + RL
269
VO 2 = R L I L = RL
hie
VCC − RC I CQ
RC + RL
VT
I CQ
=
= 12k
10 − 6 k * 0.47 m
= 4.78
6 k + 12k
1 * 25m
* ( 50 ) = 2.66 k
0.47 m
ّّّإستجابة اإلشارة الصغيرة
Ad −
RC h fe
2 hie
=−
R
6 k * 50
6k
= −0.3
= −56.4 , Ac − C = −
2 RE
20k
2 * 2.66 k
v d = v s 1 − v s 2 = −0.04 cos d t
,
v + vs2
= cos c t
vc = s1
2
v o 2 ( oc ) = − Ad ( v d ) + Ac ( v c ) = − 2.26 cos d t − 0.3 cos c t
Ro 2 RC = 6 k
vo 2 = vo 2 ( oc ) *
RL
12k
= ( −2.26 cos d t − 0.3 cos c t ) *
RL + Ro 2
12k + 6k
v o 2 = −1.5 cos d t − 0.21 cos c t
vO 2 ( t ) = VO 2 + v o 2 = 4.78 − 1.5 cos d t − 0.21 cos c t
___________________________________________________________________
_
2-3-13
نقطة تشغيل و برامترات الترانزستور
I’ I E ‘
VCC
6
=
= 1.5mA
2 R2 2 * 2k
I CQ
VCC + R’ I’ −V f
2 R’
=
,
R’
1
1
+ R2 =
+ 2k = 22k
hoe
50
6 + 22 k * 1.5m − 0.6
0.87 mA
2 * 22 k
270
hie
VT
I CQ
=
1* 25m
* ( 100 ) = 2.87 k
0.87 m
إستجابة اإلشارة الصغيرة
Ad −
RC h fe
Ac
2hie
=−
3.3k * 100
= −57.49
2 * 2.87 k
− RC
3.3kk
=−
= −0.075
2 R’
2 * 22k
CMMR =
Ad
Ac
=
v d = v s 1 − 0 = −0.02 cos d t
57.49
= 766 .53
0.075
,
vc =
v s1 + 0
= −0.01cos d t
2
v o 1 = Ad ( v d ) + Ac ( v c )
v o 1 = 1.15 cos d t − 0.00075 cos c t
___________________________________________________________________
________
3-3-13
نقطة تشغيل و برامترات الترانزستور
I’ I E
R’
I CQ
VZ − V f
6.8 − 0.6
0.31mA
20k
1
1
+ R2 =
+ 20k = 40k
hoe
50
VCC + R’ I’ −V f
2 R’
R2
=
=
12 + 40k * 0.31m − 0.6
0.30mA
2 * 40k
− VCC + RC I CQ + VCEQ − V f = 0 →
271
VCEQ = VCC + V f − RC I CQ = 12 + 0.6 − 25k * 0.3m 3.9
VO = VCEQ1 − VCEQ 2 = 0
hie
VT
I CQ
=
1 * 25m
* ( 50 ) = 4.17 k
0.30m
إستجابة اإلشارة الصغيرة
Ad −
Ac
RC h fe
2 hie
=−
− RC
25k
=−
= −0.31
2 R’
2 * 40k
25k * 50
= −149.88
2 * 4.17 k
,
CMMR =
v d = ( v s 1 − v s 2 ) = −0.02 cos d t
→
Ad 149.88
=
= 483.48
Ac
0.31
v o = 2 Ad ( v d )
v o = −2 * 149.88( −0.02 cos d t ) 6 cos d t )
___________________________________________________________________
________
4-3-13
نقطة تشغيل و برامترات الترانزستور
VGSQ + 2 R s I DQ – V DD = 0 → I DQ =
I DQ = I DSS ( 1 −
1− 2
VGSQ
VP
VGSQ
VP
+
)2 → I DSS ( 1 −
VGSQ 2
VP
2
=
1
( V DD – VGSQ )
2 Rs
VGSQ 2 1
( V DD -VGSQ )
) =
2 Rs
VP
1
( V DD -VGSQ )
2 Rs I DSS
272
2
VP − 2VPVGSQ + VGSQ
VGSQ
2
2
VP 2
( V DD -VGSQ )
=
2 Rs I DSS
VP 2
VP 2
2
+(
− 2VP )VGSQ + VP −
VDD = 0
2 Rs I DSS
2 Rs I DSS
VGSQ 2 + (
9
9
+ 6 )VGSQ + 9 −
20 = 0
2 * 10k * 4 m
2 * 10k * 4 m
VGSQ 2 + 6.11VGSQ + 6.75 = 0
VGSQ = −
6.11
3.05 2 − 6.75 = − 3.05 1.60
2
I DQ =
→
VGSQ = −1.45
1
1
( 20 + 1.45 ) = 1.07 mA
( V DD – VGSQ ) =
2 Rs
2 * 10k
( 2 RS + RD ) I DQ +V DSQ = 2V DD
V DSQ = 2V DD — ( 2 RS + RD ) I DQ = 40 − 25k * 1.07 m 13.75
I DQ = I DSS ( 1 −
VGSQ
VP
gm
)2
gm −
→
VGSQ
2 I DSS
(1−
)→
VP
VP
2 * 4m
1.45
(1−
) 1.38m
3
3
إستجابة اإلشارة الصغيرة
Ad
− g m RD − 1.38m * 5 k
=
= −3.45
2
2
CMMR =
, Ac
− RD − 5 k
=
= −0.25
2 Rs
20k
Ad
3.45
=
= 13.8
Ac 0.25
v + vs2
vc = s1
= 0.2 cos c t
2
v o 2 = − Ad ( v d ) + Ac ( v c ) = − 1.38 cos d t − 0.05 cos c t
v d = v s 1 − v s 2 = −0.4 cos d t
,
___________________________________________________________________
___
5-3-13
نقطة تشغيل وبرامترات الترانزستور
273
بسبب التماثل
I DQ = I DSS ( 1 −
VGSQ = −2.5( 1
VGSQ
VP
)2
→
I DQ = 3mA
→
VGSQ = V P ( 1
3m
) = − 2.5( 1 0.5 ) →
12m
I DQ
I DSS
)
VGSQ = −1.25
− VDD + RD I DQ + VDSQ − VGSQ = 0 →
VDSQ = VDD − RD I DQ + VGSQ = 15 − 3k * 3m − 1.25 = 4.75
VO 1 = VDSQ − VGSQ = 4.75 + 1.25 = 6
gm −
VGSQ
2 I DSS
2 * 12m
− 1.25
(1−
) = 4.8 m
(1−
)=−
VP
VP
− 2.5
− 2.5
إستجابة اإلشارة الصغيرة
Ad
− g m RD − 4.8 m * 3k
=
= −7.2
2
2
− RD − 3k
=
=0
2 Rs
2*
v + vs2
vc = s1
= 0.1 cos c t
2
= − 7.2 ( − 0.2 cos d t ) = 1.44 cos d t
v d = v s 1 − v s 2 = −0.2 cos d t
v o 1 = Ad v d + Ac v c = Ad v d
, Ac
,
vO 1 = VO 1 + v o1 = 6 + 1.44 cos d t
6-3-13
نقطة تشغيل و برامترات الترانزستور
VGSQ + 2 R’ I DQ –V ‘ –V DD = 0 → I DQ =
1
( V DD +V ‘ – VGSQ )
2 R’
274
V DD + V ‘ = V EE = 24
I DQ = I DSS ( 1 −
1− 2
VGSQ
VP
VGSQ
VP
2
)2 → I DSS ( 1 −
+
VGSQ 2
VP
2
=
VP − 2VPVGSQ + VGSQ
VGSQ
2
2
VGSQ
VP
→
)2 =
1
( V EE -VGSQ )
2 R’
1
( V EE -VGSQ )
2 R’ I DSS
VP 2
( VEE -VGSQ )
=
2 R’ I DSS
VP 2
VP 2
2
+(
− 2VP )VGSQ + VP −
VEE = 0
2 R’ I DSS
2 R’ I DSS
VGSQ 2 + (
16
16
+ 8 )VGSQ + 16 −
24 = 0
2 * 10k * 4 m
2 * 10k * 4 m
VGSQ 2 + 8.2VGSQ + 4.8 = 0
VGSQ = −4.1 4.1 2 − 4.8 = − 4.1 3.47
I DQ =
→
VGSQ = −0.63
1
1
( V EE – VGSQ ) =
( 24 + 0.63 ) = 1.23mA
2 * 10k
2 R’
( 2 R’ + RD ) I DQ +V DSQ = V DD + V EE
V DSQ = V DD + V EE — ( 2 R’ + RD ) I DQ = 44 − 23k * 1.23m 15.71
gm −
VGSQ
2 I DSS
2 * 4m
− 0.63
(1−
) = 1.69m
(1−
)= −
VP
VP
−4
−4
إستجابة اإلشارة الصغيرة
Ad
− g m RD − 1.69m * 3k
=
= −2.54
2
2
vd = v s 1 − v s 2 = −0.2 cos d t
v o = 2 Ad ( v d ) = − 2 * 2.54 * ( − 0.2 cos d t ) = 1.02 cos d t
1-4-14
275
مكافئ المقوى لإلشارة الصغيرة
نوع الترجيع فى هذا المقوى هو )فرق جهد– توازى(
) ‘ Rof = Ro’ /( 1 − As
RL
’= A
RL + Ro
Rif = Ri ‘ /( 1 − Av ‘ ) ,
,
RL =
,
→
’Av ‘ = A
if
’v o
= ,
’ Av
’ 1 − Av
’v o
’ii
= ‘A
= Af
ثبت ) ( v o = 0ثم ارسم دارة جانب الدخل بناء علي ذلك
ثبت ) ( v i = 0ثم ارسم دارة جانب الخرج بناء علي ذلك
مكافئ المقوى بدون تأثير ترجيعي ولكن بأخذ تحميل دارة الترجيع فى اإلعتبار.
10k
’ 0.91i i
10k + 1k
’= ii
Rf
R f + hie
’ i b’ = i i
’ v o’ = −h fe i b’ ( RC // R f ) = −100 * 0.91i i ‘ ( 10k // 10k ) = −455 * 103 i i
1
1
=
= 10 − 4
R f 10k
=
if
’v o
=
,
’v o
3
= − 455* 10
’ii
( 1 − Av ‘ ) = 1 + 10 −4 * 455 * 10 3 46.5
’ Av
v
− 455 * 10 3
= −9.78 * 10 3
= = o
46.5
1 − Av ‘ i i
= Af
Ri ‘ = R f // hie = 10k // 1k = 0.91k
Rif = Ri ‘ /( 1 − Av ) = 0.91k / 46.5 20
= ‘A
276
Ro’ = RC // R f = 10k // 10k = 5k
Rs
1
* = −455
−238.22
’ Rs + Ri
1 + 0.91
’As ‘ = A
Rof = Ro’ /( 1 − As’ ) = 5k /( 1 + 10 −4 * 238.22 ) 4.88k
vo vo
Rs
Rs
1
=
= Af
−9.78 * 10 3
= −9.6 * 10 3
is
i i Rs + Rif
Rs + Rif
1.02
___________________________________________________________________
______
2-4-14
مكافئ المقوى لإلشارة الصغيرة
نوع الترجيع فى هذا المقوى هو )فرق جهد– توالى(
) ‘ Rof = Ro’ /( 1 − Av
RL
’= A
RL + Ro
Rif = Ri ‘ ( 1 − Av ‘ ) ,
’Av ‘ = A
→
,
RL =
ثبت ) ( v o = 0ثم ارسم دارة جانب الدخل بناء علي ذلك
ثبت ) ( i i = 0ثم ارسم دارة جانب الخرج بناء علي ذلك
vf
’v o
=
,
’v o
’vi
=A
277
مكافئ المقوى بدون تأثير ترجيعي ولكن بأخذ تحميل دارة الترجيع فى اإلعتبار
Ri ‘ ( hie + h fe ( R f1 // R f 2 )) // R11 // R12 = ( 1.1k + 50( 10 // 0.1 )k )) // 220 // 22 4.65k
Ro’ = ( R f 1 + R f 2 ) // RC 2 = 10.1k // 4.7k 3.21k
i b1′ =
vi’
vi’
0.98v i ‘
=
=
= 0.165 * 10 −3 v i ‘
( hie + h fe ( R f1 // R f 2 )) ( 1.1k + 50( 10 // 0.1 )k )) 6.05k
ib 2′ = − h fe ib1′
Rc1 // R21 // R22
→
hie + ( Rc1 // R21 // R22 )
i b 2’ = −50 * 0.165 * 10 − 3 v i ‘*
( 22 // 220 // 22 )
−7.51* 10 − 3 v i ‘
1.1 + ( 22 // 220 // 22 )
v o’ = − h fe ib 2′ ( RC 2 //( R f 1 + R f 2 )
→
v o’ = 50 * 7.51* 10 −3 v i ‘ ( 4.7 // 10.1 )k 1200v i ‘
RL =
→
v f = − v o’
=
vf
v o’
=−
→
Av ‘ = A’
RL
= A’
RL + Ro
Rf 2
→
Rf1 + Rf 2
R f2
R f1 + R f 2
=−
0.1k
−0.01
10.1k
1 − Av ‘ = 1 + 0.01* 1200 13
Af =
A’ =
Av ‘
v
1200
= o
92.31
1 − Av ‘ v i
13
Rif = Ri ‘ ( 1 − Av ‘ ) = 4.65k * 13 60.45k
v o’
1200
vi’
278
’ Ri
4.65
* = 1200
1175
’ Rs + Ri
0.1 + 4.65
’Ai ‘ = A
1 − Ai ‘ = 1 + 0.01* 1175 12.75
Rof = Ro’ /( 1 − Ai ‘ ) = 3.21k / 12.75 252
__________________________________________________________________
3-4-14
مكافئ المقوى لإلشارة الصغيرة
نوع الترجيع فى هذا المقوى هو )تيار– توازى(
) ‘ Rof = Ro’ ( 1 − As
’Ro
’RE + Ro
) ‘ Rif = Ri ‘ /( 1 − Ac
,
’Ac ‘ = A
,
’ Ac
’ 1 − Ac
,
’i o
’ii
= ‘A
= Af
ثبت ) ( i o = 0ثم ارسم دارة جانب الدخل بناء علي ذلك
ثبت ) ( v i = 0ثم ارسم دارة جانب الخرج بناء علي ذلك
مكافئ المقوى بدون تأثير ترجيعي ولكن بأخذ تحميل دارة الترجيع فى اإلعتبار
25k
’ 0.93i i
25k + 2k
’= ii
R f + RC 2
R f + RC 2 + hie
’ i b1′ = i i
10
RB 2
= 50 * 0.93i i
0.92i i
RB 2 + hie + h fe RE
10 + 2 + 50 * 10
’i
’ii
→ A’ = o = 46.5
’ib 2′ h fe ib1
i o’ h fe i b 2′ = 50 * ( 0.31i i ) 46.5i i
279
Ro’
RB 2 + hie 12k
240
Ro’
= 46.5
=
240 → Ac ‘ = A’
1.09
h fe
50
10.24k
RE + Ro’
i f − h fe i b 2′
if
RC 2
10
− i o’
−0.4i o’ → =
= −0.4
RC 2 + R f
10 + 15
i o’
i
ii
→ Af = o =
1 − Ac = 1 + 0.4 * 1.09 1.44
Ac ‘
1.09
=
0.76
1 − Ac ‘ 1.44
Ri ‘ = ( R f + RC 2 ) // hie = 25k // 2k 1.85k
Rif = Ri ‘ /( 1 − Ac ) = 1.85k / 1.44 = 1.28k
As ‘ = A’
Rs
1
= 46.5 *
25.14
Rs + Ri ‘
1.85
Rof = Ro’ ( 1 − As ‘ ) = 240 * ( 1 + 0.4 * 25.14 ) 2.65k
io io
Rs
Rs
1
=
= Af
0.76
= 0.33
i s i i Rs + Rif
Rs + Rif
2.28
4-4-14
مكافئ المقوى لإلشارة الصغيرة
(نوع الترجيع فى هذا المقوى هو )تيار– توازى
i’
A= o
ii’
,
if
=
i o’
,
,
Rif =
Ac ‘ = A
Ri ‘
1 − Ac ‘
,
Rof = Ro’ ( 1 − Ac ‘ )
Ac’
Ro’
Af =
Ro’ + Rc
1 − Ac’
( ثم ارسم دارة جانب الدخل بناء علي ذلكi o = 0 ) ثبت
( ثم ارسم دارة جانب الخرج بناء علي ذلكv i = 0 ) ثبت
280
مكافئ المقوى بدون تأثير ترجيعي ولكن بأخذ تحميل دارة الترجيع فى اإلعتبار
i b1′ = i i ‘
R12 //( R f + Re 2 )
( R12 //( R f + Re 2 )) + hie
i b 2’ = − h fe * 0.97i i ‘
= ii’
( 10 // 30 )
0.97 i i ‘
( 10 // 30 ) + 2
R21
R21 + hie + (( Re1 + ( Re 2 // R f ))h fe
18
−5.62 * i i ‘
18 + 2 + 1 + 2.7 * 50
i o’
= 280
i o ‘ = − h fe i b 2’ = −50 * ( −5.62i i ‘ ) 280i i ‘ → A’ =
ii’
i b 2′ = −50 * 0.97i i ‘
Ro ‘ =
i f = − i o’
→ Ac ‘ = A’
Ro ‘
= A’
Ro ‘ + Rc
Re 2
3
= − i o’
= −0.1i o’
Re 2 + R f
3 + 27
→
1 − Ac ‘ = 1 − A’ = 1 + 0.1* 280 29
=
if
i o’
= −0.1
→
i
Ac ‘
280
Af = o =
=
9.66
i i 1 − Ac ‘ 29
Ri ‘ = R12 //( R f + Re 2 ) // hie = ( 10 // 30 // 2 )k = 1.58k
Rif = Ri’ /( 1 − Ac’ ) = 1.58k / 29 = 54.48
Ro ‘ = → Rof = Ro’ ( 1 − As’ ) =
v o RC i o
RC i o Rs
RC Rs
10 * 1
=
=
= Af
= 9.66
1.74
is
is
i i ( Rs + Rif )
( Rs + Rif )
( 1 + 54.48 )
___________________________________________________________________
_____
5-4-14
281
مكافئ المقوى لإلشارة الصغيرة
نوع الترجيع فى هذا المقوى هو )تيار– توازى(
,
i
’i
’ Ac
’ Ri
= A’ = o , = f , Rif
= , Rof = Ro’ ( 1 − As’ ) , A f
’ 1 − Ac
’ii
’i o
’ 1 − Ac
’ Ro
Ro ‘ + R L
ثبت ) ( i o = 0ثم ارسم دارة جانب الدخل بناء علي ذلك
ثبت ) ( v i = 0ثم ارسم دارة جانب الخرج بناء علي ذلك
مكافئ المقوى بدون تأثير ترجيعي ولكن بأخذ تحميل دارة الترجيع فى العتبار
) R12 // R11 //( R f + Re 2
) ( R12 // R11 //( R f + Re 2 )) + hie
’ i b1′ = i i
) ( 10 // 91 // 15.1
) ( 9 // 15.1
’ ii
’ 0.84i i
( 10 // 91 // 15.1 ) + 1.1
( 9 // 15.1 ) + 1.1
R21 // R22
( R21 // R22 ) + hie + ( Re 2 // R f )h fe
’ i b 2′ = − h fe * 0.84i i
91 // 10
’ −25.2 * i i
( 91 // 10 ) + 1.1 + ( 0.1 // 15 ) * 50
’i
A’ = o = 1260
’ii
→
’ i b1′ = i i
’ i b 2 ‘ = −50 * 0.84 i i
’ io’ = − h fe ib 2′ = − 50 * ( −25.2 * i i ‘ ) = 1260 * i i
’Ac ‘ = A
282
Ro’ = RC 2 = 4.7k →
i f − i o’
Ac ‘ = A’
Rc 2
4.7k
= 1260 *
= 630
R L + Rc 2
4.7k + 4.7k
→
Re 2
0.1
= − i o’
−0.007 i o ‘
Re 2 + R f
0.1 + 15
=
if
i o’
= −0.007
1 − Ac ‘ = 1 − A’ = 1 + 0.007 * 630 5.41 →
i
Ac ‘
630
Af = o =
=
116.45
i i 1 − Ac ‘ 5.41
Ri ‘ = R12 // R11 //( R f + Re 2 ) // hie
Ri ‘ = ( 10 // 91 // 15.1 // 1 )k 0.85k
Rif = Ri ‘ /( 1 − Ac ) = 0.85k / 5.41 157
v o i o RL
Rs
R L Rs
4.7 * 4.7
=
= Af
116.45
529.62
is
i i Rs + Rif
Rs + Rif
4.7 + 0.157
___________________________________________________________________
____
1-4-15
Av =
C1 800 p
=
=2
C 2 400 p
,
Cs =
C1C 2
800 * 400
800
=
p=
p
C1 + C 2
1200
3
o 0.5M
=
= 79.58kHz
2
2*
___________________________________________________________________
___
o 2 =
1
1* 3
= 25* 1010
LC s 15m * 800 p
→ fo =
2-4-15
Av =
L2
L1
→
L2 = Av L1 = 50 * 0.1m = 5mH
C=
,
o =
2
1
→
( L1 + L2 )C
1
1
24 pF
2
2
o ( L1 + L2 ) 4 ( 455k ) * 5.1m
2
___________________________________________________________________
_
3-4-15
Av = 29
fo =
1
2 6 RC
→ R=
1
2 6 Cf o
→
R=
1
36
2 6 * 0.1 * 18k
___________________________________________________________________
______
283
1-3-16
R f i f + RL i i = 0 → i f = −
RL
ii
Rf
Ri =
→
v i R1 i f
RR
=
=− 1 L
ii
ii
Rf
_____________________________________________________________________________________________________
____________
2-3-16
Gv =
v o R f i f + Ri2
=
vi
Ri2
R1 i f + R( 1 − )i 2 = 0
Gv =
Rf
R
(−
→
=
Rf i f
if
i2
R i2
=−
+
(أ
R
(1− )
R1
Rf
R
(1− )+
( 1 − )) + = −
R1
R1
= 0 → Gv = −
Rf
R1
,
= 1 → Gv = = 1
(بـ
___________________________________________________________________
________
3-3-16
284
vo = ( R + R f )i f , v 1 − v 2 = ( R1 + R2 )i1
− Ri f − R1 i1 + v1 = 0 → i f =
v o = ( R1 + R2 )i f
=
i 1 → i1 =
v1 − v 2
R1 + R2
R
1
R v − v2
1
v 1 − 1 i1 =
v1 − 1 1
R
R R1 + R2
R
R
R1 + R2
R
R
R
v1 − 1 ( v1 − v 2 ) = 2 v1 + 1 v 2
R
R
R
R
___________________________________________________________________
_____
4-3-16
vo = ( R1 + R f )i f + v1 = R1 ( 1 + k )i f + v1
v 1 = − R1 i f +
R3
k
v 2 = − R1 i f +
v2
R2 + R3
1+ k
if =
vo =
1 k
1
v2 −
v1
R1 1 + k
R1
kv 2 − ( 1 + k )v 1 + v 1 = − k ( v 1 − v 2 )
___________________________________________________________________
___
5-3-16
Av =
L2
L
= 2 = 50
L1 0.1m
→
L2 = 50 * 0.1m = 5 mH
285
Av = −
Rf
C=
R1
→
Av =
1
=
o 2 ( L1 + L2 )
Rf
R1
→
R f = 50 * 100k = 5 M
1
4 2 * ( 455k )2 * 5.1m
24 pF
___________________________________________________________________
__
6-3-16
Cs =
fo =
Av =
C 1C 2
5 * 0.5
=
n 0.45nF
C1 + C 2
5.5
1
1
=
237 kHz
2 LC s 2 1m * 0.45n
Rf
C1
5n
=
= 10 =
C 2 0.5 n
R1
→
R f = 10 * 100k = 1 M
___________________________________________________________________
________
7-3-16
fo =
1
2 6 RC
Av = 29 →
Rf
R1
→
R=
= 29
1
1
=
36.1
2 6 f o C 2 6 * 18k * 0.1
→
R f = 29 R1 = 29 * 100k = 2.9 M
__________________________________________________________________
الفهرست
282
282
Selection of High Frequency Parameters
Coupling and Bypass Capacitor Selection
CE Amplifier Frequency Response
CC Amplifier Frequency Response
CS Amplifier Frequency Response
High Frequency Response
Mid band Frequency Response
Low Frequency Response
Diode Response to Small Signals
Diode Response to Large Signals
Diode Response to DC
CE Amplifier Large Signal Response
Current Gain Stabilization
Voltage Gain Stabilization
Q Point Stabilization
FET Q Point Stabilization
Frequency Response Forms
Avalanche Breakdown
Zener Breakdown
Small Signal Parameters of a BJT
Diode Logic Gates
Temperature Effect
Maximum Symmetrical Swing
Optimal Maximum Symmetrical Swing
Clamping the lower peak
Clamping the upper peak
Clamping the varying peak
CMRR Improvement
Feedback Amplifiers Approximate Analysis
Analysis using Node Potentials
Diode Circuit Graphical Analysis
Sine to Square Wave Converter
BJT Biasing in a CE Configuration
J FET Biasing
BJT Biasing in a CC Configuration
D E MOS FET Biasing
BJT Biasing in a CB Configuration
Covalent Bond
Déplétion Mode MOS FET
Junction Field Effect Transistor JFET
Bipolar Junction Transistor (BJT)
Field Effect Transistor (FET)
Current Shunt Feedback
Current Series Feedback
Voltage Shunt Feedback
Voltage Series Feedback
150
143
141
147
160
144
144
141
11
10
9
112
79
79
76
96
138
8
8
73
22
49
113
116
39
38
40
176
191
66
9
216
61
95
63
101
65
3
99
93
56
93
190
189
188
187
اختيار برامترات الترددات العالية
اختيارمكثفات الربط ومكثفات التجاوز
استجابة التردد لمقوي الباعث المشترك
استجابة التردد لمقوي المجمع المشترك
استجابة التردد لمقوي المصدر المشترك
استجابة الترددات العالية
استجابة الترددات المتوسطة
استجابة الترددات المنخفضة
استجابة الدايود لالشارات الصغيرة
استجابة الدايود لالشارات الكبيرة
استجابة الدايود للتيار الثابت
استجابة مقوي الباعث المشترك لالشارة الكبيرة
استقرار معامل تقوية التيار
استقرار معامل تقوية فرق الجهد
استقرار نقطة التشغيل
FET استقرار نقطة تشغيل
اشكال استجابات التردد
انهيار افاالنش
انهيار الزنر
لالشارة الصغيرةBJT برامترات الـ
بوابات دايود منطقية
تاثير الحرارة
تارجح متماثل اقصي
تارجح متماثل اقصي امثل
تثبيت القمة السفلي
تثبيت القمة العليا
تثبيت القمة المتغيرة
تحسين نسبة رفض نسق الجمع
تحليل نقريبي لمقويات الترجيع
تحليل باستخدام جهود العقد
تحليل بياني لدارة دايود
تحويل من اشارة جيبية الي مربعة
CE في وصلةBJT تحييز
JFET تحييز
CC في وصلةBJT تحييز
DE MOS FET تحييز ترانزستور
CB في وصلةBJT تحييز
ترابط تساهمي
نسق تناقصMOS FET ترانزستور
JFET ترانزستور الوصلة بتأثير المجال
)BJT ( ترانزستور الوصلة ثنائية القطبية
FET ترانزستور تاثير المجال
) توازي-ترجيع (تيار
) توالي-ترجيع (تيار
)ترجيع (فرق جهد – توازي
)ترجيع (فرق جهد – توالي
283
283
Negative Feedback
Positive Feedback
Transition Frequency
BJT Construction
Semiconductor Atom Crystal Structure
Cross Over Distortion
Power Amplifiers Classification
Diode Application for Characteristic Generation
Operational Amplifier Applications
Integrator
BJT Configurations
Feedback Amplifier Configurations
Clamping Circuits
Rectifier Circuits
Clipping Circuits
Output Side Circuit
Input Side Circuit
Semiconductor Diode
Ideal Diode
Semiconductor Atom
Electron Hole Pair
Diode Transition Capacitance
Diode Storage Capacitance
N Type Semiconductor
P Type Semiconductor
Common Mode Voltage
Difference Mode Voltage
Clipping at a Single Level
Clipping at two Levels
Heat Sink
DC Voltage Quadrupler
Low pass Filter
Current flow in a semiconductor
DC Voltage Doubler
Simple CE Amplifier Curent Gain
Simple CE Amplifier Power Gain
Simple CE Amplifier Voltage Gain
Common Mode Gain
Différence Mode Gain
BJTs against FETs
Comparison between BJT Amplifiers
Single Output – Resistance
Diode Dynamic Resistance
Difference Output – Resistance
Full wave Bridge Rectifier
Full wave Centre Tape Rectifier
186
202
149
56
2
135
118
52
213
214
57
187
37
26
18
192
192
2
1
2
3
51
52
4
5
170
170
18
21
50
41
215
4
40
74
74
74
171
171
107
89
172
14
175
30
33
ترجيع سالب
ترجيع موجب
تردد االنتقال
BJT تركيب
تركيب بللورة ذرات شبه الموصل
تشويه العبور الفوقي
تصنيف مقويات القدرة
تطبيقات الدايود النتاج مميزات خاصة
تطبيقات مقوي العمليات
تكامل
BJT توصيالت
توصيالت مقويات الترجيع
دارات تثبيت القمة
دارات تقويم
دارات قطع
دارة جانب الخرج
دارة جانب الدخل
دايود شبه الموصل
دايود مثالي
ذرة شبه الموصل
) فجوة- زوج (الكترون
سعة االنتقال
سعة التخزين
N شبه موصل نوع
P شبه موصل نوع
فرق جهد نسق الجمع
فرق جهد نسق الفرق
قطع عند مستوي واحد
قطع عند مستويين
مخفض الحرارة
مربع فرق الجهد
مرشح ترددات منخفضة
مرورالتيار في شبه موصل
مضاعف فرق الجهد
معامل تقوية التيار لمقوي الباعث المشترك البسيط
معامل تقوية القدرة لمقوي الباعث المشترك البسيط
معامل تقوية فرق جهد مقوي الباعث المشترك
معامل تقوية نسق الجمع
معامل تقوية نسق الفرق
مقارنة بين انواع الترانزستور
BJTمقارنة بين مقويات
مقاومة الخرج االحادي
مقاومة الدايود الديناميكية
مقاومة خرج الفرق
مقوم الجسر لكامل الموجة
مقوم مركز الشريط لكامل الموجة
284
284
Half wave Rectifier
FET Differential Amplifier (Basic Configuration)
BJT Differential Amplifier (Basic Configuration)
BJT Basic Differential Amplifier with load
Simple CE Small Signal Amplifier
CB Small Signal Amplifier
CC Small Signal Amplifier
Common Source Amplifier CS
Differentiator
Differential Amplifier
Summing Amplifier
Inverting Amplifier
Operational Amplifiers
Ideal Operational Amplifier
Non Inverting Amplifier
Class A Transformer Coupled Power Amplifier
Class A Q Point Stabilized Power Amplifier
Class A Simple Power Amplifier
Class B Push Pull Power Amplifier
Complementary Class B Power Amplifier
Unity Gain Amplifier
Small Signal Amplifier
Power Amplifiers
Feedback Amplifiers
Bypass Capacitor
Simple CE Amplifier Output Impédance
Simple CE Amplifier Input Impédance
Semiconductor Diode Actual Characteristic
Semiconductor Diode Theoretical Characteristic
Zener Diode Characteristic
BJT Characteristics in a CE Configuration
J FET Characteristics
D E MOS FET Characteristics
Characteristics of a E MOS FET
Voltage Regulator
Phase Shift Oscillator
Sinusoidal Oscillator
LC Sinusoidal Oscillators
Colpitts Oscillator
Hartly Oscillator
Oscillators
Oscillators with operational amplifiers
Percentage Regulation
Common Mode Rejection Ratio
Semiconductor Theory
Miller’s Theorem
27
180
168
173
70
86
82
104
214
215
213
213
211
212
213
122
124
119
131
135
214
70
118
185
81
74
74
8
7
43
58
94
100
101
44
207
203
203
205
206
202
216
47
171
2
145
مقوم نصف الموجة
) تفاضلي اساسيFET ( مقوي
التفاضلي االساسيBJT مقوي
التفاضلي االساسي بحملBJT مقوي
مقوي الباعث المشترك البسيط لالشارة الصغيرة
مقوي القاعدة المشتركة لالشارة الصغيرة
مقوي المجمع المشترك لالشارة الصغيرة
مقوي المصدر المشترك
مقوي تفاضل
مقوي تفاضلي
مقوي جمع
مقوي عاكس
مقوي عمليات
مقوي عمليات مثالي
مقوي غير عاكس
بمحول تقارنA مقوي قدرة صنف
بنقطة تشغيل مستقرةA مقوي قدرة صنف
بسيطA مقوي قدرة صنف
)سحب- ( دفعB مقوي قدرة صنف
متتامB مقوي قدرة صنف
مقوي معامل تقوية الوحدة
مقويات االشارة الصغيرة
مقويات القدرة
مقويات ترجيع
مكثف التجاوز
ممانعة الخرج لمقوي الباعث المشترك البسيط
ممانعة الدخل لمقوي الباعث المشترك البسيط
ممبز الدايود العملي
ممبز الدايود النظري
مميز دايود الزنر
CE في وصلةBJT مميزات
JFET مميزات
DE MOS FET مميزات ترانزستور
E MOS FET مميزات ترانزستور
منظم فرق الجهد
مولد ازاحة الطور للذبذبات الجيبية
مولد ذبذبات جيبية
LC مولد ذبذبات جيبية نوع
مولد كولبتس للذبذبات الجيبية
مولد هارتلي للذبذبات الجيبية
مولدات ذبذبات
مولدات ذبذبات بمقويات عمليات
نسبة التنظيم المئوية
CMRR نسبة رفض نسق الجمع
نظرية شبه الموصل
نظرية ميلر
285
285
Simple CE Amplifier Operating Point
Models of a Field Effect Transistor
BJT Large Signal Model
BJT Models for Low and Midband Frequencies
BJT Model for High Frequencies
Model of a BJT for Small Signals
FET Small Signal Model
Diode Model for Large Signals
Diode Model for Small Signals
Thermal Runaway
Forward biased PN Junction
Reverse biased PN Junction
Open circuited PN Junction
71
151
111
140
140
72
102
13
14
50
6
6
5
نقطة تشغيل مقوي الباعث المشترك البسيط
نماذج ترانزستور تاثير المجال
لالشارة الكبيرةBJT نموذج
للترددات المنخفضةBJT نموذج
للترددات العاليةBJT نموذج
الالشارة الصغيرةBJT نموذج
لالشارة الصغيرةFET نموذج
نموذج الدايود لالشارة الكبيرة
نموذج الدايود لالشارة الصغيرة
هروب حراري
محيزة امامياPN وصلة
محيزة عكسياPN وصلة
مفتوحةPN وصلة
…
